ハイサイド MOS-FET ゲートドライバ回路で発生する断続特性の数理モデルの検討
ハイサイド MOS-FET ゲートドライバ回路で発生する断続特性の数理モデルの検討
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高边MOS-FET栅极驱动电路间歇特性数学模型研究
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高坂拓司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
伊藤大輔;中村誠;高坂拓司
