パルスレーザーメルティング法（PLM）によって 硫黄を過飽和ド－プしたSi 結晶の少数キャリア濃度
パルスレーザーメルティング法（PLM）によって 硫黄を過飽和ド－プしたSi 結晶の少数キャリア濃度
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脉冲激光熔化 (PLM) 硫过饱和硅晶体的少数载流子浓度
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
梅津 郁朗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川本 兼司;青木 珠緒;梅津 郁朗
