Simulation of power compression in GaAs and GaN MESFETs

Simulation of power compression in GaAs and GaN MESFETs
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GaAs 和 GaN MESFET 中的功率压缩仿真

DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Proceedings of 2004 International Symposium of Signals, Systems and Electronics
影响因子：
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通讯作者：
D.Kasai
D.Kasai
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
K.Horio;Y.Kazami;D.Kasai

文献摘要

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