利用自修复效应改善三维集成电路硅 ()() 通孔电迁移效应的技术,
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DOI：
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发表时间：
2016
影响因子：
2.8
通讯作者：
赵巍胜
中科院分区：
文献类型：
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作者：
成元庆;Aida Todri-Sanial;杨建磊;赵巍胜
