On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET 負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET 負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
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使用动态电荷泵方法对 SiC MOSFET 负偏压期间的界面陷阱生成进行分析
DOI:
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发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
岩室 憲幸
中科院分区:
文献类型:
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作者:
岡本 大;染谷 満;坂田 大輝;張 旭芳;松谷 優汰;畠山 哲夫;岡本 光央;原田 信介;矢野 裕司;岩室 憲幸