A Review on Increasing of Breakdown Voltage of Standard CMOS LSI Circuits by MEMS Post-Process
A Review on Increasing of Breakdown Voltage of Standard CMOS LSI Circuits by MEMS Post-Process
复制标题
MEMS后处理提高标准CMOS LSI电路击穿电压的研究进展
DOI：
10.1541/ieejsmas.138.319
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发表时间：
2018
影响因子：
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通讯作者：
Mita Yoshio
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Okamoto Yuki;Mita Yoshio
