Diamond Nanowire Transistor with High Current Capability
Diamond Nanowire Transistor with High Current Capability
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具有高电流能力的金刚石纳米线晶体管
DOI：
10.1002/pssa.202100622
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Pakpour-Tabrizi A
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Pakpour-Tabrizi A
与块状电子器件相比，纳米线(NW)结构中的载流子限制可以提供许多新的材料特性。由于钻石具有极佳的电学、物理和光学性质，因此可以被认为是一种终极半导体。然而，传统器件结构中的掺杂问题阻碍了金刚石器件技术的发展。在这里，重掺杂的钻石纳米管，宽约15 纳米，深度仅1-2 纳米，克服了这些问题，并提供了NW技术的重大进步；晶体管的作用可以仅通过远程侧栅极来诱导，而不需要半导体结。准弹道传输很可能是在约20 MA cm−2处制造的NW晶体管具有非凡的电流处理能力的原因，约为0.04 Go。这种单极技术开辟了钻石纳米电子器件技术的新范式。
Carrier confinement in nanowire (NW) structures can offer a host of new material properties compared to bulk electronic devices. Diamond can be considered an ultimate semiconductor given its superlative electronic, physical, and optical properties. However, the development of diamond device technology has been hindered by doping problems in conventional device structures. Here, heavily doped diamond NWs, some 15 nm wide and only 1–2 nm deep overcome these issues and offer a significant advance in NW technology; transistor action can be induced with remote side gates alone, without the need for semiconductor junctions. Quasi‐ballistic transport is most‐likely responsible for extraordinary current handling capability of the NW transistors fabricated here at some 20 MA cm−2, being around 0.04 G0.This unipolar technology opens up a new paradigm in diamond nanoelectronic device technology.
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
BMJ
影响因子：
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作者：
C. B. Wilson
通讯作者：
C. B. Wilson