M.Matsayama,M.MATUMURA: "Hetero Atomic-Layer-Epitaxy of Ge in Si(100)"Jpn J. Appl. Phys.. 印刷中. (2000)
M.Matsayama,M.MATUMURA: "Hetero Atomic-Layer-Epitaxy of Ge in Si(100)"Jpn J. Appl. Phys.. 印刷中. (2000)
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M.Matsuyama，M.MATUMURA：“Si(100) 中 Ge 的异质原子层外延”Jpn J. Appl.. 出版中。
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