GaN:Eu electroluminescent devices grown by interrupted growth epitaxy
GaN:Eu electroluminescent devices grown by interrupted growth epitaxy
复制标题
断续生长外延生长的 GaN:Eu 电致发光器件
DOI：
10.1016/j.tsf.2005.08.328
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
A. Steckl
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Munasinghe;A. Steckl
