Fabrication of ZrSiO/Ge Gate Stacks with GeO2and ZrGeO Interlayers

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具有 GeO2 和 ZrGeO 中间层的 ZrSiO/Ge 栅极叠层的制备

DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
影响因子：
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通讯作者：
H. Nakashima
H. Nakashima
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
S. Kojima;K. Sakamoto;Y. Iwamura;K. Hirayama;K. Yamamoto;D. Wang;H. Nakashima

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