ECR-assisted MBE growth of In1−xGaxN heteroepitaxial films on Si
ECR-assisted MBE growth of In1−xGaxN heteroepitaxial films on Si
复制标题
DOI：
10.1016/j.spmi.2004.09.012
复制
发表时间：
2004-10
影响因子：
3.1
通讯作者：
T. Yodo;Yasunari Kitayama;Kazunari Miyaki;Hiroaki Yona;Y. Harada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Yodo;Yasunari Kitayama;Kazunari Miyaki;Hiroaki Yona;Y. Harada
