Nonpolar 4H-AlN Grown on 4H-SiC (1-100) with Reduced Stacking Fault Density Realized by Persistent Layer-by-layer Growt
Nonpolar 4H-AlN Grown on 4H-SiC (1-100) with Reduced Stacking Fault Density Realized by Persistent Layer-by-layer Growt
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在 4H-SiC (1-100) 上生长非极性 4H-AlN，通过持续逐层生长实现降低堆垛层错密度
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Horita;T. Kimoto;J. Suda
