Organometallic vapor phase epitaxy of GaN on Si(111) with a γ-Al2O3(111) epitaxial intermediate layer
Organometallic vapor phase epitaxy of GaN on Si(111) with a γ-Al2O3(111) epitaxial intermediate layer
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具有 γ-Al2O3(111) 外延中间层的 Si(111) 上 GaN 有机金属气相外延
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)02090-5
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发表时间：
2002
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Ishida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Wakahara;H. Oishi;H. Okada;A. Yoshida;Y. Koji;M. Ishida
