Orientation dependence of phase memory relaxation in the V(IV) ion at high frequencies
Orientation dependence of phase memory relaxation in the V(IV) ion at high frequencies
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高频 V(IV) 离子中相位记忆弛豫的方向依赖性
DOI:
10.1016/j.cplett.2019.137034
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发表时间:
2020
影响因子:
2.8
通讯作者:
Zadrozny, Joseph M.
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
Jackson, Cassidy E.;Lin, Chun-Yi;van Tol, Johan;Zadrozny, Joseph M.
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影响因子:
2.6
作者:
S. Dzuba
通讯作者:
S. Dzuba
影响因子:
3.2
作者:
Jingjie Du;K. More;S. Eaton;G. Eaton
通讯作者:
G. Eaton
影响因子:
8.4
作者:
Chun;Thacien Ngendahimana;G. Eaton;S. Eaton;Joseph M. Zadrozny
通讯作者:
Joseph M. Zadrozny
DOI:
--
发表时间:
1994
期刊:
影响因子:
--
作者:
R. Konda;J. Du;S. Eaton;G. Eaton
通讯作者:
G. Eaton
影响因子:
8.4
作者:
Cassidy E. Jackson;Chun;S. H. Johnson;J. van Tol;Joseph M. Zadrozny
通讯作者:
Joseph M. Zadrozny