AlN epitaxial growth on off-angle R-plane sapphire substrates by MOCVD
AlN epitaxial growth on off-angle R-plane sapphire substrates by MOCVD
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通过 MOCVD 在斜角 R 面蓝宝石衬底上外延生长 AlN
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)01051-x
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发表时间：
2001
影响因子：
1.8
通讯作者：
H. Sakai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Shibata;K. Asai;Yukinori Nakamura;Mitsuhiro Tanaka;Kazuyuki Kaigawa;J. Shibata;H. Sakai
