The formation mechanism of the V_3Ga phase on the high Ga content Cu-Ga compound/V diffusion reaction through the high temperature XRD analysis
The formation mechanism of the V_3Ga phase on the high Ga content Cu-Ga compound/V diffusion reaction through the high temperature XRD analysis
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通过高温XRD分析高Ga含量Cu-Ga化合物/V扩散反应中V_3Ga相的形成机理
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et.al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Hishinuma;et.al.
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使用高 Ga 含量化合物通过 PIT 工艺实现 ${
m V}_{3}{
m Ga}$ 多丝线的超导性能和微观结构
影响因子：
1.8
作者：
Y. Hishinuma;A. Kikuchi;Y. Iijima;T. Takeuchi;H. Taniguchi;M. Tomonaga;A. Nishimura
通讯作者：
A. Nishimura
改变配置的复合加工 V3Ga 线材的超导性能得到改善
DOI：
10.1016/0011-2275(81)90268-x
发表时间：
1981
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Sharma;Y. Tanaka;K. Tachikawa
通讯作者：
K. Tachikawa
高Ga含量Cu-Ga复合粉末PIT-V3Ga单芯线的制备及其超导性能
DOI：
10.1088/0953-2048/20/6/014
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Hishinuma;A. Kikuchi;Y. Iijima;Y. Yoshida;T. Takeuchi;A. Nishimura
通讯作者：
A. Nishimura
V3Ga超导线材高Ga浓度Cu-Ga复合粉末的新制造方法
DOI：
10.2320/jinstmet.71.959
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
良光 菱沼;章弘 菊池;安男 飯嶋;孝夫 竹内;新一 西村
通讯作者：
新一 西村
新扩散工艺制造的 V3Ga 线材的超导临界电流
影响因子：
1.5
作者：
K. Tachikawa;Yoshiaki Tanaka
通讯作者：
Yoshiaki Tanaka