Strain relaxation of InAs epilayer on GaAs under In-rich conditions
Strain relaxation of InAs epilayer on GaAs under In-rich conditions
复制标题
DOI：
10.1023/a:1023350529729
复制
发表时间：
2003-04
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
L. Cai;H. Chen;C. Bao;Q. Huang;J. Zhou
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
L. Cai;H. Chen;C. Bao;Q. Huang;J. Zhou
