Effect of the carrier gas and the group-V precursor on the doping efficiency of SiH4 for InP and In0.54Ga0.46As/InP in LP-MOVPE
Effect of the carrier gas and the group-V precursor on the doping efficiency of SiH4 for InP and In0.54Ga0.46As/InP in LP-MOVPE
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LP-MOVPE 中载气和 V 族前驱体对 InP 和 In0.54Ga0.46As/InP 中 SiH4 掺杂效率的影响
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)01537-8
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Keiper
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Keiper
