Reactive Ion Etching of Si Using Ar/F_2 Plasma
Reactive Ion Etching of Si Using Ar/F_2 Plasma
复制标题
Ar/F_2 等离子体反应离子刻蚀 Si
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Fumio Koyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akihiro Matsutani;Hideo Ohtsuki;Fumio Koyama
