28-nm FD-SOI Dual-Port SRAM with MSB-Based Inversion Logic for Low-Power Deep Learning
28-nm FD-SOI Dual-Port SRAM with MSB-Based Inversion Logic for Low-Power Deep Learning
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具有基于 MSB 的反转逻辑的 28 nm FD-SOI 双端口 SRAM，适用于低功耗深度学习
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Yoshimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Mori;S. Izumi;H. Kawaguchi;M. Yoshimoto
