Sn-driven self-formation of Ge1-xSnx nanodots on insulator for multi-layered quantum dots structure
Sn-driven self-formation of Ge1-xSnx nanodots on insulator for multi-layered quantum dots structure
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Sn驱动的Ge1-xSnx纳米点在绝缘体上的自形成用于多层量子点结构
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and O. Nakatsuka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Hashimoto;S. Shibayama;K. Asaka;M. Kurosawa;and O. Nakatsuka
