High-pressure synthesis, crystal structure, and physical properties of NaAlB14 single crystals
High-pressure synthesis, crystal structure, and physical properties of NaAlB14 single crystals
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NaAlB14单晶的高压合成、晶体结构及物理性质
DOI：
10.1016/j.ceramint.2021.09.257
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发表时间：
2021-09
影响因子：
5.2
通讯作者：
Dongli Yu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhikang Yuan;Wentao Hu;Dongli Yu
与以往报道的由Na_2B_4O_7、Al和B合成NaAlB_（14）单晶不同，在高温高压条件下直接合成了纯NaAlB_（14）单晶。提高反应温度有利于NaAlB_（14）单晶的生长。利用扫描透射电子显微镜对NaAlB 14单晶沿着[100]、[010]、[001]和[021]轴的原子结构进行了表征。从理论和实验上研究了NaAlB_（14）的拉曼光谱，发现其共价骨架出现了预期的振荡.光致发光光谱表明，NaAlB_（14）是一种具有红光（1.68 eV）和近红外（1.50和1.36 eV）发光特性的半导体发光材料。能带结构分析表明，NaAlB_（14）是一种间接带隙半导体，其禁带宽度为2.22 eV.
Pure NaAlB14single crystals were successfully synthesized directly from Na, Al, and B at high pressure and high temperature, different from the previously reported method, that is, synthesized from Na2B4O7, Al, and B. The growth of NaAlB14single crystals was promoted by increasing the reaction temperature. The atomic structures of NaAlB14single crystal along the [100], [010], [001], and [021] axes were characterized by using a scanning transmission electron microscope. The Raman spectra of NaAlB14were investigated theoretically and experimentally, and they showed the expected oscillations of the covalent framework. In addition, photoluminescence spectra indicated that NaAlB14is a semiconductor luminescence material with red (1.68 eV) and near-infrared (1.50 and 1.36 eV) emission characteristics. The band structure revealed that NaAlB14is an indirect band gap semiconductor with a wide band gap of 2.22 eV.
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DOI：
10.1063/1.35609
发表时间：
1986-04
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
H. Werheit
通讯作者：
H. Werheit
DOI：
10.1016/0921-5107(94)04023-w
发表时间：
1995
影响因子：
3.6
作者：
H. Werheit
通讯作者：
H. Werheit
DOI：
10.1016/0022-5088(81)90234-4
发表时间：
1981-11
期刊：
Journal of The Less Common Metals
影响因子：
--
作者：
I. Higashi
通讯作者：
I. Higashi
影响因子：
6.2
作者：
S. Okada;T. Shishido;T. Mori;K. Iizumi;K. Kudou;K. Nakajima
通讯作者：
S. Okada;T. Shishido;T. Mori;K. Iizumi;K. Kudou;K. Nakajima
影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J