SiO2薄膜によるInGaN/GaN量子井戸を有する窒化物半導体の高効率発光
SiO2薄膜によるInGaN/GaN量子井戸を有する窒化物半導体の高効率発光
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使用SiO2薄膜的InGaN/GaN量子阱氮化物半导体的高效发光
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岡本晃一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
垣内晴也;島ノ江考平;松山哲也;和田健司;船戸充;川上養一;岡本晃一
