Effects of HfO2/AlGaN interface of HfO2/AlGaN/GaN MOSFET studied by device simulation
Effects of HfO2/AlGaN interface of HfO2/AlGaN/GaN MOSFET studied by device simulation
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通过器件仿真研究HfO2/AlGaN/GaN MOSFET的HfO2/AlGaN界面效应
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Mizutani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Hayashi;S. Sugiura;S. Kishimoto;T. Mizutani
