Nitrogen doping of 4H-SiC by top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent
Nitrogen doping of 4H-SiC by top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent
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使用 Si-Ti 溶剂通过顶晶溶液生长技术进行 4H-SiC 氮掺杂
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2014.01.044
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发表时间：
2014
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Harada and Toru Ujihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kusunoki;K. Kamei;K. Seki;S. Harada and Toru Ujihara
