Electron transport in InAs field effect and mesoscopic device

Electron transport in InAs field effect and mesoscopic device
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InAs场效应和介观器件中的电子输运

DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Proceedings of 12th International Conference on Narrow Gap Semiconductors
影响因子：
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通讯作者：
M.Inoue
M.Inoue
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
M.Koyama;M.Furukawa;T.Maemoto;S.Sasa;M.Inoue

文献摘要

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