Bipolar Characteristics of Vanadium-doped 4H-SiC Semi-Insulating Layer for Well-less CMOS Circuits
Bipolar Characteristics of Vanadium-doped 4H-SiC Semi-Insulating Layer for Well-less CMOS Circuits
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无阱CMOS电路掺钒4H-SiC半绝缘层的双极特性
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Shin-Ichiro Kuroki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toya Kai;Kazutoshi Kojima;Takeshi Ohshima;Yasunori Tanaka;and Shin-Ichiro Kuroki
