H.Iwano, K.Yoshikawa, A.Kojima, K.Hayashi, S.Zaima and Y.Yasuda: ""Novel method of strain-relaxd Si_<1-x>Ge_x growth on Si (100) by MBE."" Appl.Surf.Sci.100/101. 487 (1996)
H.Iwano, K.Yoshikawa, A.Kojima, K.Hayashi, S.Zaima and Y.Yasuda: ""Novel method of strain-relaxd Si_<1-x>Ge_x growth on Si (100) by MBE."" Appl.Surf.Sci.100/101. 487 (1996)
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H.Iwano、K.Yoshikawa、A.Kojima、K.Hayashi、S.Zaima 和 Y.Yasuda：“通过 MBE 在 Si (100) 上应变松弛 Si_<1-x>Ge_x 生长的新方法。”
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