Bidirectional and Self-selective Characteristics of PN Diode Based N-doped Cr2Ge2Te6 Phase Change Memory
Bidirectional and Self-selective Characteristics of PN Diode Based N-doped Cr2Ge2Te6 Phase Change Memory
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N掺杂Cr2Ge2Te6 PN二极管相变存储器的双向自选特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Sutou Yuji
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shuang Yi;Hatayama Shogo;An Junseop;Hong Jinpyo;Ando Daisuke;Song Yunheub;Sutou Yuji
