窒化物半導体トンネル接合に向けた高濃度ドーピング
窒化物半導体トンネル接合に向けた高濃度ドーピング
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氮化物半导体隧道结的高浓度掺杂
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
天野 浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
加賀 充;山下 浩司;矢木 康太;岩谷 素顕;竹内 哲也;上山 智;赤崎 勇;天野 浩
