GaN:Eu,Dy薄膜的结构和发光特性研究
GaN:Eu,Dy薄膜的结构和发光特性研究
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DOI：
10.13373/j.cnki.cjrm.xy22060011
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
徐科
中科院分区：
文献类型：
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作者：
陈华军;罗璇;王晓丹;毛红敏;曾雄辉;徐科
通过离子注入方法制备了一系列稀土Eu和Dy掺杂的GaN薄膜,研究了其结构、发光特性和能量传递机制。拉曼(Raman)光谱和X射线衍射(XRD)的研究一致表明:当Eu剂量保持不变时,随着Dy剂量增加, GaN晶格应变出现了先张应变后压应变的变化趋势。阴极荧光(CL)光谱表明: Eu, Dy共掺GaN样品的发光峰和单掺GaN样品的发光峰基本一致,这说明Eu和Dy共掺时并没有显著改变彼此的局域晶体场环境。在GaN中,对于Eu离子, ~5D_0→~7F_2跃迁所对应的625 nm发光最强;对于Dy离子, ~4F_(9/2)→~6H_(13/2)对应的583 nm发光最强。在Eu离子剂量保持不变的情况下,随着Dy离子注入剂量的增加, 583 nm的发光逐渐变强,而625 nm的发光变弱。进一步,结合计算分析表明Eu离子主要通过电偶极-电偶极共振方式传递能量给Dy离子。最后发现随着离子注入剂量的改变,发光颜色在白色和红色间变化,色温在3889~ 4839 K变化。