Growth of flat GaP layer on Si substrates using MOVPE
Growth of flat GaP layer on Si substrates using MOVPE
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使用 MOVPE 在 Si 衬底上生长平坦的 GaP 层
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Takano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Okamoto;S. Watanabe;H. Masuda;K. Noda;S. Fukuda;S. Fuke;Y. Takano
