Silicon self-diffusivity measurement in thermal SiO2 by 30Si/28Si isotopic exchange
Silicon self-diffusivity measurement in thermal SiO2 by 30Si/28Si isotopic exchange
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通过 30Si/28Si 同位素交换测量热 SiO2 中的硅自扩散率
DOI：
10.1063/1.1589168
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发表时间：
2003
影响因子：
3.2
通讯作者：
D. Tsoukalas
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Mathiot;J. Schunck;M. Perego;M. Fanciulli;P. Normand;C. Tsamis;D. Tsoukalas
用同位素交换法测量了热二氧化硅中硅的自扩散率。实验中，使用同位素富集的28Si氧化层，是专门设计的，以获得实际的平衡扩散率的氧化物。一个简单的阿留申定律，具有5.34 eV的活化能，非常好地描述了测量的扩散率作为温度的函数。我们的值与文献数据进行了比较，我们讨论了所观察到的差异的可能来源。
Isotopic exchange is used to measure the silicon self-diffusivity in thermal silicon dioxide. The experiments, using an isotopically enriched 28Si oxide layer, are specially designed to obtain the actual equilibrium diffusivity in the oxide. A simple Arrhenius law, with an activation energy of 5.34 eV, very nicely describes the measured diffusivities as a function of the temperature. Our values are compared with literature data, and we discuss the possible origin of the observed differences.