Characteristics of a-plane GaN films grown on optimized silicon-dioxide-patterned r-plane sapphire substrates
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DOI：
10.1016/j.tsf.2013.02.048
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发表时间：
2013-11
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
J. Son;Y. Honda;M. Yamaguchi;H. Amano;K. Baik;Y. Seo;S. Hwang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Son;Y. Honda;M. Yamaguchi;H. Amano;K. Baik;Y. Seo;S. Hwang
