Recent Progress and Surface-Related Key Issues in III-V Semiconductor Nanoelectronics (invited)
Recent Progress and Surface-Related Key Issues in III-V Semiconductor Nanoelectronics (invited)
复制标题
III-V族半导体纳米电子学最新进展及表面相关关键问题（特邀）
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hyota;Nakahori;H.Hasegawa
