p型コンタクト層にn-ZnOトンネル層を有するAlGaN系pnダイオードの作製及び電気的評価
p型コンタクト層にn-ZnOトンネル層を有するAlGaN系pnダイオードの作製及び電気的評価
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p型接触层中带有n-ZnO隧道层的AlGaN基pn二极管的制造和电学评估
DOI:
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发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
内田 和男
中科院分区:
文献类型:
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作者:
孫 錚,森元 諄;大黒 将也,田尻 武義;内田 和男