High-quality AlN layer homoepitaxially grown on nitrided a-plane sapphire
High-quality AlN layer homoepitaxially grown on nitrided a-plane sapphire
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在氮化 a 面蓝宝石上同质外延生长高质量 AlN 层
DOI：
10.7567/apex.6.091001
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发表时间：
2013
影响因子：
2.3
通讯作者：
and Hiroyuki Fukuyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masayoshi Adachi;Kenji Tsuda;Masashi Sugiyama;Junji Iida;Akikazu Tanaka;and Hiroyuki Fukuyama
