Performance Degradation Prediction on Proton Irradiation Effects in 0.35µm SiGe BiCMOS Technology LNA
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0.35 µm SiGe BiCMOS 技术 LNA 中质子辐照效应的性能退化预测
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yuan Yuan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Lawal Mubashiru Olarewaju;Shuhuan Liu;Aqil Hussain;Yuan Yuan
