Modeling observed capacitance–voltage hysteresis in metal–SiO2-thin film organic semiconductor devices
Modeling observed capacitance–voltage hysteresis in metal–SiO2-thin film organic semiconductor devices
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对金属-SiO2-薄膜有机半导体器件中观察到的电容-电压滞后进行建模
DOI：
10.1016/j.sse.2006.04.032
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Mahmudur Rahman
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Niemann;N. Gunther;C. Kwong;M. Barycza;Mahmudur Rahman
