エピタキシャル薄膜成長を利用したマイクロテクスチャ面の創成―(100)Si基板への極低速成長による創成―
エピタキシャル薄膜成長を利用したマイクロテクスチャ面の創成―(100)Si基板への極低速成長による創成―
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使用外延薄膜生长创建微纹理表面 - 通过在 (100) Si 基板上极慢的生长创建 -
DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
尾方博紀,角田 陽
中科院分区:
文献类型:
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作者:
H. Suzuki K. Fujii;M. Okada;Y. Yamagata;鈴木浩文,岡田 睦,加藤英治,山田将博;鈴木浩文;鈴木浩文;鈴木浩文;Naoki Taira and Akira Kakuta;Akira Kakuta and Kyosuke Kanou;尾方博紀,角田 陽