T.Sakurai, J.W.Park, Y.Nishioka, M.Nishiyama, H.Kobayashi: "SiC/SiO_2 structure formed at 〜200℃ with heat treatment at 950 ℃ having excellent electrical characteristics"Jpn.J.Appl.Phys.. 41. 2516-2518 (2002)
T.Sakurai, J.W.Park, Y.Nishioka, M.Nishiyama, H.Kobayashi: "SiC/SiO_2 structure formed at 〜200℃ with heat treatment at 950 ℃ having excellent electrical characteristics"Jpn.J.Appl.Phys.. 41. 2516-2518 (2002)
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T.Sakurai、J.W.Park、Y.Nishioka、M.Nishiyama、H.Kobayashi：“在〜200℃下经过950℃热处理形成的SiC/SiO_2结构具有优异的电特性”Jpn.J.Appl.Phys.. 41 .2516-2518 (2002)
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