K.Ueno et al.: "Fabrication of GaAs Quantum Dots on a Bilayer-GaSe Terminated Si (111) substrate"Japanese Journal of Applied Physics. (印刷中). (2001)
K.Ueno et al.: "Fabrication of GaAs Quantum Dots on a Bilayer-GaSe Terminated Si (111) substrate"Japanese Journal of Applied Physics. (印刷中). (2001)
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K.Ueno 等人：“在双层 GaSe 端接的 Si (111) 基板上制备 GaAs 量子点”，日本应用物理学杂志（2001 年出版）。
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