Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H_2-diluted GeH_4
Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H_2-diluted GeH_4
复制标题
H_2稀释GeH_4甚高频感应耦合等离子体生长的高度结晶Ge:H薄膜的电性能
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Kaku
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
木村一子;落合純代;河本大地;福永寛明;中村 賜;Zheng Taixing;Matsutomi Tomoya;中本 千泉;K. Makihara;K. Makihara;T. Hosoi;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;T. Sakata;A. Ohta;T. Sakata;R. Nishihara;S. Miyazaki;K.Makihara;J.Nishitani;S.Miyazaki;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;S.Miyazaki;S.Miyazaki;M. Muraguchi;S. Nomura;A. Kawanami;Y. Sakurai;K. Makihara;M. Ikeda;K. Shimanoe;H. Kaku
