Ultrafast growth of submillimeter-scale single-crystal MoSe2 by pre-alloying CVD
Ultrafast growth of submillimeter-scale single-crystal MoSe2 by pre-alloying CVD
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预合金CVD超快生长亚毫米级单晶MoSe2
DOI：
10.1039/d2nh00105e
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发表时间：
2022
影响因子：
9.7
通讯作者：
Wencai Ren
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xing Xin;Jiamei Chen;Yanmei Zhang;Mao-Lin Chen;Youzhe Bao;Weizhen Liu;Yichun Liu;Haiyang Xu;Wencai Ren
采用预合金化CVD方法，首次在Au衬底上实现了亚毫米级（560 μm）MoSe 2单晶的超快生长（30 s）和无损转移。
A pre-alloying CVD method was developed to realize the ultrafast growth (30 s) and non-destructive transfer of submillimeter-scale (560 μm) monolayer single-crystal MoSe2 on Au for the first time.