4H-SiCにおける衝突イオン化係数の温度依存性

4H-SiCにおける衝突イオン化係数の温度依存性
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4H-SiC 中碰撞电离系数的温度依赖性

DOI:
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发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
木本恒暢
木本恒暢
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
丹羽弘樹;須田淳;木本恒暢

文献摘要

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