Electronic transport in high magnetic fields of thin film MnSi
Electronic transport in high magnetic fields of thin film MnSi
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薄膜 MnSi 高磁场中的电子输运
DOI：
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发表时间：
2018
影响因子：
1.2
通讯作者：
S. Süllow
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Steinki;D. Schroeter;N. Wächter;D. Menzel;H. Schumacher;I. Sheikin;S. Süllow
本文研究了高磁场下MnSi薄膜的磁电阻效应。我们建立的磁电阻率可以理解的自旋涨落理论，使我们能够比较我们的数据的研究散装材料。尽管大量的和薄膜的数据有密切的定性相似，有明显的定量差异。我们提出，这些反映了薄膜和体材料MnSi的自旋涨落谱的差异，并讨论了可能的原因。
We present a study of the magnetoresistivity of thin film MnSi in high magnetic fields. We establish that the magnetoresistivity can be understood in terms of spin fluctuation theory, allowing us to compare our data to studies of bulk material. Despite of a close qualitative resemblance of bulk and thin film data, there are clear quantitative differences. We propose that these reflect a difference of the spin fluctuation spectra in thin film and bulk material MnSi, and discuss possible causes.
影响因子：
3.7
作者：
Meynell, S. A.;Wilson, M. N.;Monchesky, T. L.
通讯作者：
Monchesky, T. L.
Si(111) 上外延薄 MnSi 层中的孪晶域
影响因子：
3.2
作者：
M. Trabel;N. V. Tarakina;C. Pohl;J. A. Constantino;C. Gould;K. Brunner;L. W. Molenkamp
通讯作者：
L. W. Molenkamp