Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-silicon devices using HfSiON buffer lavers
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使用 HfSiON 缓冲层的金属-铁电-绝缘体-硅器件的特性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Ishiwara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X-B. Lu;H. Hoko;K. Maruyama;H. Ishiwara
影响因子：
3.7
作者：
Whissell PD;Tohyama S;Martin LJ
通讯作者：
Martin LJ