Wide bandgap semiconductor materials and devices

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DOI:
10.1063/5.0100601
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发表时间:
2022-06
影响因子:
3.2
通讯作者:
J. Varley;B. Shen;M. Higashiwaki
J. Varley;B. Shen;M. Higashiwaki
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
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作者:
J. Varley;B. Shen;M. Higashiwaki

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