A novel single event upset reversal in 40-nm bulk CMOS 6 T SRAM cells
A novel single event upset reversal in 40-nm bulk CMOS 6 T SRAM cells
复制标题
40 nm 体 CMOS 6 T SRAM 单元中的新型单粒子翻转反转
DOI：
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发表时间：
2015
影响因子：
2.8
通讯作者：
Deng Quan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Li Peng;Zhang Min-Xuan;Zhao Zhen-Yu;Deng Quan
