ナノ構造系の4端子抵抗測定におけるバイアス電圧の影響に関する理論研究

ナノ構造系の4端子抵抗測定におけるバイアス電圧の影響に関する理論研究
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偏置电压对纳米结构系统四端电阻测量影响的理论研究

DOI:
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发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
渡邉聡
渡邉聡
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
寺澤麻子;飛松啓司;多田朋史;山本貴博;渡邉聡

文献摘要

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